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アメリカ株ドットコム

ウォルフスピードは、1987年7月に設立され、ノースカロライナ州ダーラムに本社を置く、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの3族窒化物ベースのパワー半導体および高周波(RF)半導体の開発・製造に従事する、アメリカ合衆国の半導体製造会社です。

ワイドバンドギャップ半導体材料とシリコンをベースにした炭化ケイ素と窒化ガリウム（GaN）材料、パワーデバイス、および無線周波数（RF）デバイスを提供しています。

この炭化ケイ素およびGaN材料は、炭化ケイ素ベアウェーハ、エピタキシャルウェーハ、および炭化ケイ素ウェーハ上のGaNエピタキシャル層で構成されています。
これは、RF、電力、およびその他のアプリケーション向けの製品を製造するための炭化ケイ素材料として、顧客に提供されています。

パワーデバイス製品には、シリコンカーバイドショットキーダイオード、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）、パワーモジュール、および充電インフラストラクチャを含む電気自動車、サーバー電源、ソーラーインバータなどのアプリケーションで使用する顧客およびディストリビュータ向けのゲートドライバボードがあります。